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정시요강은 왜 안나올까...허술한 당국의 대입관리 [베리타스알파] 2015.10.25해당카페글 미리보기
세기 ③ 광전효과, 매질의 굴절률 ④ 일과 에너지, 역학적 에너지 보존법칙 ⑤ 특수상대성 이론, 질량-에너지 동가성 ⑥반도체 도핑, p-n접합과 전류특성 · 화학 ① 원자구조, 오비탈의 정의 및 종류, 현대 원자모형에 의한 전자 배치 원리 ② 전자쌍...
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우주 배경 복사 2018.05.29해당카페글 미리보기
하드 디스크 새로운 정보 저장 매체 시각 세포와 빛의 인식 CCD LCD 전자 잉크 영상 표현 장치 반도체와 신소재 고체의 에너지 띠 반도체 초전도체 반도체 도핑 다이오드 트랜지스터 고집적 회로와 논리 회로 고분자 화합물 천연 고분자 화합물 합성...
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(서적) 암치료 `테트라스` 항암제- 배일주 저(도서출판 지식공간) 2016.10.02해당카페글 미리보기
용액에서 금속으로 환원시키는 방법으로 만들 수도 있는데, 보통은 AsCl3를 LiAlH4등의 환원제로 환원시켜 얻는다. 반도체 산업에서 As 도핑용으로, 그리고 군사용 독가스로 사용된다. 한편, AsH3는 비소 독극물을 검출하는 과정에서 생기는 중간체로...
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전기전자의 기초. 2007.01.23해당카페글 미리보기
사용한다. PN접합의 항복(Breakdown)영역에서 동작특성이 나타나도록 제작된 다이오드로 주로 정전압 용으로 사용된다.PN반도체의 도핑레벨(Doupping Level)을 변화시켜서 2 ~ 200 [V]의 항복범 위를 갖도록 해당 전압별로 제작된다 제너(Zener)항복은...
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다이오드의 개요 펌자료! 2007.10.30해당카페글 미리보기
사용한다. PN접합의 항복(Breakdown)영역에서 동작특성이 나타나도록 제작된 다이오드로 주로 정전압 용으로 사용된다.PN반도체의 도핑레벨(Doupping Level)을 변화시켜서 2 ~ 200 [V]의 항복범 위를 갖도록 해당 전압별로 제작된다 제너(Zener)항복은...
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다이오드 개요 2006.02.28해당카페글 미리보기
사용한다. PN접합의 항복(Breakdown)영역에서 동작특성이 나타나도록 제작된 다이오드로 주로 정전압 용으로 사용된다.PN반도체의 도핑레벨(Doupping Level)을 변화시켜서 2 ~ 200 [V]의 항복범 위를 갖도록 해당 전압별로 제작된다 제너(Zener)항복은...
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2 2018.03.28해당카페글 미리보기
발전은 미세화 공정에 의존하고 있고, 기초과학 기술은 1890년 이전이 기초 과학의 부흥기라고 진단할 수가 있다. 지금 반도체의 도핑인 붕소와 인으로 규소에서 대체를 하는 기술이 1910년대에 이미 나왔던 이론이다. 100년이 지난후에 미세화 공정에...
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전계효과 트랜지스터라는 것은 또 뭘까?(1)_J-FET 2012.02.18해당카페글 미리보기
사이에 역방향 전압(게이트 전압)을 공급하여 드레인과 소스 사이에 흐르는 드레인 전류의 흐름을 제어하게 된다. 채널 반도체에 도핑된 불순물은 PN 접합형태가 되고, 공급되는 게이트 전압에 의해 PN 접합면에 공핍층 형성이 감소, 증가되어 채널 반도체...
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비소화합물을 통한 다발성골수종 완치가능성 1. 2013.01.24해당카페글 미리보기
용액에서 금속으로 환원시키는 방법으로 만들 수도 있는데, 보통은 AsCl3를 LiAlH4등의 환원제로 환원시켜 얻는다. 반도체 산업에서 As 도핑용으로, 그리고 군사용 독가스로 사용된다. 한편, AsH3는 비소 독극물을 검출하는 과정에서 생기는 중간체로...
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나노 기공 멤브레인을 활용한 실리콘 이온 주입법 2012.03.03해당카페글 미리보기
동료들은 고 에너지 코발트 이온을 실리콘 웨이퍼에 주입하는 새로운 방법을 개발하는 데 성공했다. 이번 연구결과는 반도체 도핑에 산화 알루미늄 박막을 활용하여 실리콘 기판에 최소한의 피해를 입히면서, 고 에너지 이온을 주입하는 기술의 새로운 장...