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4/4(월) <황금송>- 조건검색 (5종목) 2022.04.05해당카페글 미리보기
컨소시엄을 구성해 인수에 나설 계획 KEC 12.91% - 산자부가 시행하는 전기자동차 및 신재생 에너지용 1200V급 Trench형 SiC MOSFET 소자 개발’ 국책과제 요구 성능 충족 -가전용 파워 반도체인 모스펫(MOSFET)과 고속 스위칭 소자(IGBT) 등은 국내외...
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페어차일드코리아반도체 대학(원)생 우수 논문 대상 2006.07.29해당카페글 미리보기
including device structure, device layout, SOA, Temperature Characteristics, Effect of Surface Status : MOSFET, IGBT, SIC, Bipolar Transistor, BCDMOS, DMOS, etc. Process Process technology including process architecture, SOI, shallow and...
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큐알티, 정전기 방전 보호용 반도체 소자 개발 기술 특허 출원 2022.03.03해당카페글 미리보기
의 구조를 개선, 작은 크기로도 반도체 정전기 방지 효과가 뛰어난 보호소자를 개발할 수 있게 되었다. 이 기술은 기존의 MOSFET 및 다이오드 구조 대비 3~10배 이상의 고전압, 고전류에서도 작동 가능해, 최근 전력반도체로 각광받는 SiC CMOS를 비롯하여...
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계조(階調) 제어형 인버터와 그 응용 2006.01.05해당카페글 미리보기
왔다. MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)와 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 등의 전압 제어형 파워디바이스의 출현으로 스위칭 주파수가 비약적으로 증가하면서 소용량의 스위칭 전원에서는 MHz을 초과하는 것이...
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일본 파워반도체 시장동향 2019.04.17해당카페글 미리보기
1200V SiC-SBD」 (미츠비시 전기) 자료 : 미츠비시 전기 홈페이지 “https://www.mitsubishielectric.co.jp/index.html” ㅇ HS CODE : 8541.10, 8541.29, 8541.30, 8542.31 등 (파워반도체는 HS CODE가 다양하게 분류되어 있음) ㅇ 파워반도체란 전력을...
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첨단 지능형 파워 IC 기술의 구조 및 전기적 특성 2003.02.17해당카페글 미리보기
압 MOSFET을 One-Chip화하는 기술을 나타내고자 했다. 이를 위하여 SOI 구조의 기판을 사용해 30V급 npn 바이폴라 트랜지스터, 400V급 SOI LDMOSFET, 수광효율이 높은 포토다이오드가 One-Chip화될 수 있는 소자구조를 구현했으며, 이에 대한 전기적 특성...
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파워 반도체 소자의 특성과 활용 2003.02.27해당카페글 미리보기
전자에서 MOSFET, IGBT, 바이폴라 등 단위 소자 중심으로 개발중에 있으나 스마트 파워 IC인 인텔리전트 소자, 즉 IPM을 비롯한 다기능 파워 IC 분야에서의 개발은 거의 없는 상태이다. 특히, 중·대용량 사이리스터, GTO, IGBT, 스마트 파워 IC 등의 경우...
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제 2장 전기적 기기장치와 회로 2008.06.30해당카페글 미리보기
㉡ SiC와 GaAs와 같은 준금속성 화합물 ㉢ 여러 유기 화합물 2C-1 규소와 게르마늄 반도체의 성질 * 규소와 게르마늄: ⅣA족 원소 → 원자가 전자 4개 → 이 전자들은 다른 규소원자의 전자들과 각각 공유결합 형성 → 원리적으로 규소결정에는 자유전자가...
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이런 인재를 모십니다.혹 주위에 일본분 아시는분 있으시거나 관심있으신분 연락주세요 2011.04.19해당카페글 미리보기
분야가 있으신분은 주저마시고 지원해 주세요.일본분도 좋습니다. 모집분야 <<전력소자 (Power Device)>> - 전력소자 . Si MOSFET, BJT 및 IGBT등 전력소자 설계 및 공정 . GaN 및 SiC 소자 설계 및 공정 . GaN 및 SiC의 Epitaxy등 증착 공정 . 소자 평가...