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서강대학교 전자공학과 전력반도체소자 연구실에서 2017년도 후기 석사과정 신입생을 모집합니다. 2017.09.11해당카페글 미리보기
열전도성과 breakdown voltage를 갖는 물질로 차세대 power device 소재로 각광받고 있습니다. -Power device: Silicon, SiC new MOSFET and diode structure, Super junction technology, integration technology 자세한 사항은 http://device.sogang.ac...
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서강대학교 전자공학과 전력반도체소자 연구실에서 2017년도 후기 석사과정 신입생을 모집합니다. 2017.09.11해당카페글 미리보기
열전도성과 breakdown voltage를 갖는 물질로 차세대 power device 소재로 각광받고 있습니다. -Power device: Silicon, SiC new MOSFET and diode structure, Super junction technology, integration technology 자세한 사항은 http://device.sogang.ac...
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서강대학교 전자공학과 전력반도체소자 연구실에서 2017년도 후기 석사과정 신입생을 모집합니다. 2017.05.08해당카페글 미리보기
열전도성과 breakdown voltage를 갖는 물질로 차세대 power device 소재로 각광받고 있습니다. -Power device: Silicon, SiC new MOSFET and diode structure, Super junction technology, integration technology 자세한 사항은 http://device.sogang.ac...
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GaN FET와 SiC FET의 차이점을 알고 싶습니다. 2017.04.20해당카페글 미리보기
안녕하세요... GaN FET와 SiC FET의 차이점을 알고 싶습니다. GaN FET는 질화갈륨이고 SiC는 실리콘 카바이드입니다. 두 개의...비교, Qg, fall time, rising time 등등....) 추가로 일반 MOSFET의 경우 동일 드레인 전류를 가진다고 하면 내압이 높으면...
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서강대학교 전자공학과 전력반도체소자 연구실에서 2017년 후기 석사과정 신입생을 모집합니다. 2017.04.15해당카페글 미리보기
열전도성과 breakdown voltage를 갖는 물질로 차세대 power device 소재로 각광받고 있습니다. -Power device: Silicon, SiC new MOSFET and diode structure, Super junction technology, integration technology 자세한 사항은 http://device.sogang.ac...
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서강대학교 전자공학과 전력반도체소자 연구실에서 2017년 후기 석사과정 신입생을 모집합니다. 2017.04.15해당카페글 미리보기
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서강대학교 전자공학과 전력반도체소자 연구실에서 2017년 후기 석사과정 신입생을 모집합니다. 2017.04.11해당카페글 미리보기
열전도성과 breakdown voltage를 갖는 물질로 차세대 power device 소재로 각광받고 있습니다. -Power device: Silicon, SiC new MOSFET and diode structure, Super junction technology, integration technology 자세한 사항은 http://device.sogang.ac...
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서강대학교 전자공학과 전력반도체소자 연구실에서 2017년 후기 석사과정 신입생을 모집합니다. 2017.04.11해당카페글 미리보기
열전도성과 breakdown voltage를 갖는 물질로 차세대 power device 소재로 각광받고 있습니다. -Power device: Silicon, SiC new MOSFET and diode structure, Super junction technology, integration technology 자세한 사항은 http://device.sogang.ac...
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[서강대학교] Power Semiconductor Device LAB 석.박사 신입생 모집합니다. 2017.02.27해당카페글 미리보기
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[서강대학교 전자공학과] Power Semiconductor Device LAB 석사, 박사과정 모집공고 2016.10.27해당카페글 미리보기
및 연구분야 2011년에 개설된 랩으로서, Power device, Power모듈에 대해 연구하고 있습니다. - Power Device : Silicon, SiC MOSFET and Diode structure, Super junction technology SiC(SiliconCarbide)는 현재 전기자동차 분야에서 각광받는 물질로...