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이런 인재를 모십니다.혹 주위에 일본분 아시는분 있으시거나 관심있으신분 연락주세요 2011.04.19해당카페글 미리보기
분야가 있으신분은 주저마시고 지원해 주세요.일본분도 좋습니다. 모집분야 <<전력소자 (Power Device)>> - 전력소자 . Si MOSFET, BJT 및 IGBT등 전력소자 설계 및 공정 . GaN 및 SiC 소자 설계 및 공정 . GaN 및 SiC의 Epitaxy등 증착 공정 . 소자 평가...
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일본시장 조사 보고서 2010.04.16해당카페글 미리보기
BFOM 1-5-2. 스위칭 디바이스 (1) 산업 기술 종합 연구소 그림2-19. 카본면에 성장시킨 4 H-SiC-IEMOS의 구조 그림2-20. MOSFET의 온 저항과 내압의 관계 (2) 롬 그림2-21. 롬의 SiC-MOSFET (3) 미츠비시 전기 그림2-22. 시작한 MOSFET의 단면도와 표면...
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광전자(주) 기계,전기,전자 00명 2009.09.03해당카페글 미리보기
www.auk.co.kr 회사소개 기존의 SSTR 위주에서 부가가치가 높은 POWER 소자쪽으로 사업을 확대 개편하기 위해 POWER MOSFET을 비롯한 여러가지 아이템에 대한 연구를 진행중이며, 국내에서는 최초로 SIC를 이용한 W/F 양산을 추진중입니다. 모집공고...
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용어사전이요 [자세한 용어사전은 용량이 너무 커 올리지 못하네요..ㅈㅅ] 2009.05.08해당카페글 미리보기
Module MOSFET - Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor MOSIC - Metal Oxide Silicon Integrated Circuit MOST - Metal Oxide Silicon Transistor MPH - Miles Per Hour MPU - Microprocessor Unit MRA - Minimum Reception Altitude MRV...
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반도체의 재도약을 위해 SiC 개발확대 필요 2008.07.31해당카페글 미리보기
새로운 구조의 SiC 파워 소자를 개발해야 할 것이다. 예를 들어 우선 정보통신(IT) 기기용 전원 시스템을 향한 파워 MOSFET 구조의 SiC 파워 소자에 초점을 맞춰야 한다고 생각된다. 이유는 두 가지가 있다. 하나는 IT기기 시장에 있어 전력 손실의 저감이...
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제 2장 전기적 기기장치와 회로 2008.06.30해당카페글 미리보기
㉡ SiC와 GaAs와 같은 준금속성 화합물 ㉢ 여러 유기 화합물 2C-1 규소와 게르마늄 반도체의 성질 * 규소와 게르마늄: ⅣA족 원소 → 원자가 전자 4개 → 이 전자들은 다른 규소원자의 전자들과 각각 공유결합 형성 → 원리적으로 규소결정에는 자유전자가...
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반도체의 재도약을 위해 SiC 개발확대 필요 2007.11.19해당카페글 미리보기
새로운 구조의 SiC 파워 소자를 개발해야 할 것이다. 예를 들어 우선 정보통신(IT) 기기용 전원 시스템을 향한 파워 MOSFET 구조의 SiC 파워 소자에 초점을 맞춰야 한다고 생각된다. 이유는 두 가지가 있다. 하나는 IT기기 시장에 있어 전력 손실의 저감이...
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PDP,전기노이즈저감기술,전자빔과시편과의상호작용,액정표시용 백라이트,LED박막트랜지스터,고효율에너지,각종bulb및유리관,서보, 2007.06.20해당카페글 미리보기
4) MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) (5) IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) (6) SIT (Static Induction Transistor) (7) SITH (Static Induction Thyristor) (8) IPM (Intelligent Power Module) (9) 전력전자모듈...
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[광전자(주)] 시설관리부문 사원모집 2007.01.17해당카페글 미리보기
www.auk.co.kr 회사소개 기존의 SSTR 위주에서 부가가치가 높은 POWER 소자쪽으로 사업을 확대 개편하기 위해 POWER MOSFET을 비롯한 여러가지 아이템에 대한 연구를 진행중이며, 국내에서는 최초로 SIC를 이용한 W/F 양산을 추진중입니다. 모집공고...
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일반반도체 신기술 2006.12.11해당카페글 미리보기
제품은 최고 12Gb 및 그 이상의 용량을 가진 차세대 드라이브도 지원 가능하다. 게재일자 : 2005/01/06 로옴전자, SiC 이용한 전력용 MOSFET 개발 로옴전자코리아(대표 김중언http://www.rohm.co.kr)는 로옴이 실리콘카바이드(SiC)를 이용해 종래 실리콘...