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이정배 삼성전자 사장 "11나노급 D램·최고단수 더블스택 V낸드 개발…메모리 초격차 이끌 것" 2023.10.18해당카페글 미리보기
29VZSWL464 이정배 삼성전자 사장 '11나노급 D램·최고단수 더블스택 V낸드 개발…메모리 초격차 이끌 것' 이정배 삼성전자(005930) 메모리사업부장(사장)이 11나노급 D램, 9세대 더블스택 V낸드 개발로 기술 초격차를 이뤄내겠다고 강조... www.sedaily.com
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삼성 ‘메모리 초격차’ 12나노급 D램 양산 2023.05.19해당카페글 미리보기
삼성 ‘메모리 초격차’ 12나노급 D램 양산 (daum.net) 삼성 ‘메모리 초격차’ 12나노급 D램 양산 삼성전자가 30년간 D램 시장에서 선두를 달리고 있는 가운데, 12나노급 제품(사진) 양산에 성공하며 또다시 초격차 기술을 확보했다. 18일 삼성전자는...
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1000배 더 큰 용량의 메모리를 만들 수 있다?! 네이처 발표! 나노결정 양방향 광스위치! (UNIST 서영덕 교수) 2023.10.11해당카페글 미리보기
1000배 더 큰 용량의 메모리를 만들 수 있다?! 네이처 발표! 나노결정 양방향 광스위치! (UNIST 서영덕 교수)
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KAIST, 방사선에도 강한 초저에너지 메모리 최초 개발 2023.03.01해당카페글 미리보기
KAIST 윤준보 교수팀, 나노종합기술원 강민호 박사와 협업 기존 플래시 메모리 반도체 3만분의 1수준 나노 전자 기계식 메모리 구조와 동작 메커니즘. 사진=KAIST 제공 국내 연구진이 기존 플래시 메모리 반도체의 3만분의 1수준에 불과하면서도 우주 공간...
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SK하이닉스, 세계 최초 10나노급 DDR5 개발 2024.09.12해당카페글 미리보기
알파경제=차혜영 기자] SK하이닉스가 세계 최초로 10나노급 6세대(1c) 미세공정을 적용한 16Gb DDR5 D램을 개발하며 새로운...기술력을 확고히 인정받았다"고 강조했다. 1c 기술은 메모리 공정의 극미세화 기술로 동작 속도는 이전 세대보다 11% 빨라...
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빛 알갱이 하나하나에 정보 심는다…光양자 메모리 원천기술 개발 2023.06.08해당카페글 미리보기
서영덕 UNIST 교수팀, ‘나노결정 양방향 광스위치’ 현상 발견 이론상 무한히 껐다 켰다 할 수 있는 나노결정이 발견됐다. 컴퓨터 메모리에 적용할 경우 빛 알갱이(광자) 하나하나에 정보를 썼다 지울 수 있게 된다. 저장용량을 지금의 반도체 메모리보다...
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반도체 TOP이 집결한 대만 전시회 AI시대 최대 난제는 메모리 2024.09.05해당카페글 미리보기
있다" 고 말했다. HBM에서 선점한 우위를 D램과 낸드 등 메모리 반도체 시장 전반으로 넓혀 AI 시대에 메모리 1위 자리에 확실히...SK하이닉스는 지난달 29일 세계 최초로 10나노미터(나노=10억분의 1)급 6세대(1c) D램 개발에 성공했다. 이에 삼성전자...
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IBM, 속도 10만배 빠른 나노 메모리 개발 2010.12.27해당카페글 미리보기
배경 물리학적 근거가 확실하며 이 새로운 메모리의 개발과 생산에 사용될 수 있다고 확인했다. ▲ IBM이 만든 혁신적 나노와이어 메모리.특별한 위치에서 도메인벽을 지정해 위치를 찾을 수 있도록 설계된 레이스트랙의 이미지. 이 혁명적인 형태의...
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[3편] 미국은 어떻게 중국의 메모리 반도체 굴기를 무너뜨리는가?.jpg 2024.04.04해당카페글 미리보기
있었는데 작년에 미국 정부에서 딱 그 기술 범위 이상의 메모리 칩을 제조할수 있는 장비들을 규제해버림 CXMT 측에서는 미칠...생산에 필요한 장비 수입도 안되고 있음 CXMT의 19나노이하 공정진입에 필요했던 ASML의 장비 NXT 1980i 기존대로라면 CXMT...
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삼성 10나노급 메모리 2013.04.13해당카페글 미리보기
삼성電, '10나노급 128Gb 낸드플래시 메모리' 본격 양산 삼성전자가 이번 달부터 고성능 '10나노급(1나노:10억분의 1미터) 128Gb(기가비트) 낸드플래시 메모리' 본격 양산에 돌입했다고 11일 밝혔다. -본문 기사- 양산체계면... 경쟁사 모조리 피보겠네...