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밝혔다. 삼성전자 메모리사업부 황창규 사장은 “내년 초 반도체 회로선폭 90나노미터의 공정을 이용해 512메가 디램을 본격 양산할 방침”이라며 “이는 내년 말께 양산할 예정인 미국 인텔보다 앞선 것”이라고 말했다. Q2. 언어를 형태소 구성에 따라...