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트랜지스터가 스위치 역할… 전력 사용 줄이는 반도체 소자 개발 2023.10.18해당카페글 미리보기
말했다. 트랜지스터는 일종의 스위치로 흐르는 전류의 양을 조절하는 역할을 한다. 트랜지스터에 사용되는 기존의 절연막은 하프늄옥사이드를 기반으로 만들어진다. 연구진은 여기에 산업체에서 사용하는 지르코늄을 첨가해 물질의 특성을 강유전체로...
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이달의 과학기술인상 시상식 2023.07.03해당카페글 미리보기
반도체 소자 기술 경쟁력을 높인 김윤석 성균관대 신소재공학부 부교수가 차지했다. 김 부교수는 차세대 반도체 소재인 하프늄옥사이드의 강유전성(외부 전기 자극 없이 양전하와 음전하가 갈라지는 현상) 발현 원인을 밝히고 이온빔을 이용해 하프늄...
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2022년 5월16일(월)오늘의 포토뉴스 2022.05.16해당카페글 미리보기
성능은 극대화…韓 연구진이 해결했다' ◇ 김윤석 성균관대 신소재공학부 교수 연구팀은 13일 국제학술지 사이언스에 '하프늄옥사이드'에 이온빔을 이용해 강유전성을 획기적으로 향상시킨 연구 논문을 게재했다. 하프늄옥사이드는 차세대 반도체 소자로...
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국내 연구진, 이온빔 이용 차세대 반도체 소재 고성능화 고안 2022.05.13해당카페글 미리보기
input=1195m 국내 연구진, 이온빔 이용 차세대 반도체 소재 고성능화 고안 | 연합뉴스 (서울=연합뉴스) 문다영 기자 = 차세대 반도체 소재로 주목받는 하프늄 옥사이드(HfO₂)의 강유전성을 획기적으로 향상하는 방법을 국내 연구진이... www.yna.co.kr
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삼성전자, 세계 최초 70나노 D램 공정기술 개발 2004.03.04해당카페글 미리보기
있 어, 後공정이 저온으로 진행되는 임베디드(Embedded) D램에만 제한적으 로 사용되어 왔다. 삼성전자는 유전체인 하프늄옥사이드(HfO2) 표면에 질화막을 형성, 내열 성 문제를 해결함으로써 세계 최초로 범용 D램에 적용 가능한 금속 캐패 시터를 개발한...