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SK하이닉스 '3D D램'의 비밀 [강해령의 하이엔드 테크] 2024.07.03해당카페글 미리보기
https://m.sedaily.com/NewsView/2DANHQ0BQ7#cb SK하이닉스 '3D D램'의 비밀 [강해령의 하이엔드 테크] 산업 > 기업 뉴스: 정보기술(IT) 시장에 관심 많으신 독자 여러분, 안녕하세요. 오늘은 SK하이닉스(000660)가 얼마전 미국 하와이에서 개최됐던 &ap...
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AI 컴퓨팅의 핵심이자 최대 수혜가 바로 D램인 이유 ㄷㄷㄷ 2024.02.24해당카페글 미리보기
수 있는 몇 가지 대안이 있습니다. 첫 번째 대안은 칩을 재설계하는 것입니다. 한 가지 옵션은 트랜지스터가 수직으로 쌓인 3D 구조의 칩을 제조하는 것입니다. 3DS CMOS(3D Stacked Complementary Metal-Oxide Semiconductor: 3차원 적층 상호 보완형...
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3D DRAM 시장 점유율 전쟁의 조용한 시작 2024.02.02해당카페글 미리보기
플레이어가 선두를 차지하기 위해 노력함에 따라 경쟁이 치열해졌습니다. 1. 삼성전자: 4F2 DRAM 삼성전자는 2019년부터 3D D램 연구를 진행해 같은 해 10월 업계 최초로 12단 3D-TSV(Through-Silicon Via) 기술을 발표했다 . 삼성전자는 2021년 DS사업부...
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세계 첫 ‘12나노 D램’ 양산… 숫자가 작을수록 좋다던데 반도체 기술, 후퇴한건가요 2023.05.25해당카페글 미리보기
구조를 평면에서 3D 입체로 바꾼 핀펫(FinFET) 기술을 도입하면서부터입니다. 삼성은 14나노부터, TSMC는 16나노부터 적용...명칭을 붙이고 있습니다. 각 사별 기준이 다르다 보니 똑같은 나노라도 성능이 다른 문제도 발생합니다. D램 역시 마찬가지...
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삼성전자, 세계 최초 3D-TSV D램 모듈 개발 2010.12.08해당카페글 미리보기
삼성전자, 세계 최초 3D-TSV D램 모듈 개발 | 기사입력 2010-12-07 11:51 [지디넷코리아]삼성전자가 세계 최초로 '3D-TSV(Through Silicon Via)'를 적용한 8GB DDR3 D램을 개발했다고 7일 발표했다. 삼성전자는 40나노급 2Gb DDR3 D램을 3D-TSV 기술로...
![SK하이닉스 '3D D램'의 비밀 [강해령의 하이엔드 테크] 이미지](https://search1.kakaocdn.net/argon/130x130_85_c/46w8MBleIdz)
