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원인을 찾고있는데 쉽지가 않습니다. 선배님들의 조언 부탁드립니다. <참고사항> 인가전력 : 500 W (이엔테크놀러지) (DC 450V, 1.1 A) 공정압력 : 5mTorr 초기압력: 1.0*10^-5 Torr 가스 : Ar/N2 10/1 sccm 타겟 : Ti (RND korea) 기판바이어스 : DC -100V

입력 : 입력74V, 1차측 2turn, 2차측 1turn, 소모전류 : 약13A, Ferrite 3단 조립, -->1차측 입력 사이파 250V, 압력 500mTorr, 아르곤가스 주입 - Quartz에서는 방전이 되나 Aluminum tube에서 동작시 방전이 안되며 아래와 같은 문제점이 지속적으로...

진공불량으로 무지 불려 다닐지도 모릅니다. 실린더 쪽에 유능한 분들 있으시면 조언을 구해 봅니다. 그리고 진공 , torr ,mtorr 등등 공부해야 될 것들이 많더라고요. 그래서 기술정보 코너를 한참 뒤지고 다녔습니다..... 콤프레샤를 개조해서 쓰실려고...

같이 크랙이 관찰됩니다. 이유가? 궁금합니다. 증착조건은 다음과 같습니다. 증착물질 TiN 기판: Si(100) DC 700W Sub. Temp 300℃ Sub. Rotation 10rmp Ar/N2= 10/3 B.P. 2.34*10-5 Torr W.P. 5mTorr depo. time 30' 두께는 약 1.22 마이크로 미터입니다...

운동 속도인 0.025eV(25℃)에 비해서 크고 증착 압력이 낮을 경우 입자들 간의 탄성 충돌 평균 자유 비행 거리가 길어서(1mTorr에서 3cm at 0.025eV) 방향성을 일부 가지게 된다. 여기에 부가적인 플라즈마를 발생시켜서 스퍼터링된 입자들을 이온화하면...

Q68ADV 로 값을 받는데 Voltage 를 찍어 보면 흔들리지 않는데 Digital 값은 많이 흔들립니다. * 0~10V 0~10,000 mTorr 고분해능 0~16,000 사용 약 50mTorr 정도에서 10mTorr 정도 흔들립니다. 10mTorr 면 약 0.01V 인데 어떻게 하면 잡을 수 있을까요 ?

the use of the instrument. Stafford's group's second breakthrough was finding that a helium gas of about 1 mtorr within the trapping volume greatly improved the mass resolution of the instrument by contracting the ion trajectories to...

분포되어있다. 폴리이 미드 필름의 구조는 CF하에 300 초 동안 플라즈마 에칭을 이용하여 성장 된 4 : 40 SCCM의 유량으로 30 mTorr의 압력, 및 100 W의 RF 전력이 가스. 이들 구조는 반경 50nm, 높이 200nm의 기둥 형상을 가지며, 고형분은 φ  = 0.629...

at low pressures for etching and ashing ultralow-k films without damage and makes possible operating pressures from <10mtorr to the torr level. Etch profiles depend not only on ion energy, but also on the distribution of energy. Some low...