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전자는 'RCAT'와 'SEG'라는 3차원 입체 트랜지스터 구조 신기술과 '복합 유전층'이라는 신물질, D램 셀의 최소면적을 줄이는 '6F²' 구조 등을 적용함으로써 50나노의 벽을 뛰어넘었다. 그동안 D램의 경우 낸드플래시보다 구조가 복잡하기 때문에 D램 업체...